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8寸半导体厂能生产哪些芯片？
转：8英寸（200mm）半导体产线在当前的半导体制造中主要应用于成熟制程，其线宽（工艺节点）范围通常在 90nm至350nm之间，通过设备升级和工艺改进，部分8英寸产线可支持 65nm节点，但需要高精度光刻机（如深紫外光刻DUV）和更严格的过程控制，成本显著增加。 汽车电子、工业控制、物联网等领域对成熟工艺芯片需求旺盛，这些应用对线宽要求较低，但对可靠性和成本敏感，8英寸产线成为理想选择。1.功
2025-05-08 LH 67
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人形机器人技术与产业发展研究，我国传感器等核心技术处于什么水平？
本论文由中国工程院王耀南院士团队撰写，发表于中国工程院院刊《中国工程科学》2025年第1期，主要阐述了我国人形机器人技术与产业发展态势，涵盖传感器、电机、减速器等全链条核心零部件发展现状和情况。王耀南院士是机器人技术与智能控制专家，主要从事智能机器人感知与控制技术及工程应用研究。编者按机器人被誉为“制造业皇冠顶端的明珠”。人形机器人是智能机器人技术的结晶，可以在特定行业如医疗护理、家庭服务、教育娱
2025-04-15 LH 149
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互补场效应晶体管（CFET）
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管
2025-03-11 LH 185
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射频前端芯片分析：国内与海外的差距及影响
（转）在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端
2025-02-06 LH 168
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旧闻新看：一文看懂算力核心HBM的技术特点
英伟达最新推出的NVIDIA HGX™ H200，该平台基于NVIDIA Hopper架构，是首款提供HBM3e内存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大语言模型，同时推进HPC工作负载的科学计算。不仅如此，英伟达计划2024年推出Blackwell架构B100 GPU。分析师预期，从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一
2025-01-02 LH 342
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全环绕栅极晶体管(GAAFET)
GAAFET的诞生随着半导体技术的发展，摩尔定律逐渐逼近物理极限。当晶体管尺寸缩小到7纳米以下时，传统的平面MOSFET和FinFET遇到了难以克服的技术瓶颈，如短沟道效应（SCEs），这导致了漏电流增加、阈值电压不稳定等问题。从平面晶体管到FinFET的演变为了继续实现逻辑缩放超越5纳米技术节点，并解决FinFET在进一步缩小时遇到的问题，行业开始探索新的晶体管架构——环绕栅极纳米片场效应晶体管
2024-12-18 LH 603
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Wolfspeed：8吋SiC晶圆收入首超6吋，业务规划有重大变化
11月6日，Wolspeed公布了2025年财年第一季度业绩报告。据称，Wolspeed该季度实现营收约1.95亿美元（约合人民币14.04亿），与去年同期基本持平，净亏损约2.82亿美元（约合人民币20.3亿），同比减亏约1.14亿美元（约合人民币8.2亿），减亏比例为28.68%。Wolspeed 首席执行官 Gregg Lowe 在财报中透露，该季度碳化硅业务在汽车领域获得重要增长，8英寸收
2024-11-14 LH 155
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半导体芯片制造中“退火工艺（Thermal Annealing）”技术的详解
转：爱在七夕时退火工艺（Thermal Annealing）技术是半导体制造中的一个关键步骤，它通过在高温下处理硅片来改善材料的电学和机械性能。退火的主要目的是修复晶格损伤、激活掺杂剂、改变薄膜特性以及形成金属硅化物。随着半导体技术的不断发展，特别是特征尺寸的持续减小，对退火工艺（Thermal Annealing）技术的要求也越来越高。本期中主要跟大家分享的是：退火工艺（Thermal Anne
2024-10-14 LH 5481
