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互补场效应晶体管（CFET）
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管
2025-03-11 LH 137
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射频前端芯片分析：国内与海外的差距及影响
（转）在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端
2025-02-06 LH 136
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旧闻新看：一文看懂算力核心HBM的技术特点
英伟达最新推出的NVIDIA HGX™ H200，该平台基于NVIDIA Hopper架构，是首款提供HBM3e内存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大语言模型，同时推进HPC工作负载的科学计算。不仅如此，英伟达计划2024年推出Blackwell架构B100 GPU。分析师预期，从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一
2025-01-02 LH 274
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全环绕栅极晶体管(GAAFET)
GAAFET的诞生随着半导体技术的发展，摩尔定律逐渐逼近物理极限。当晶体管尺寸缩小到7纳米以下时，传统的平面MOSFET和FinFET遇到了难以克服的技术瓶颈，如短沟道效应（SCEs），这导致了漏电流增加、阈值电压不稳定等问题。从平面晶体管到FinFET的演变为了继续实现逻辑缩放超越5纳米技术节点，并解决FinFET在进一步缩小时遇到的问题，行业开始探索新的晶体管架构——环绕栅极纳米片场效应晶体管
2024-12-18 LH 473
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Wolfspeed：8吋SiC晶圆收入首超6吋，业务规划有重大变化
11月6日，Wolspeed公布了2025年财年第一季度业绩报告。据称，Wolspeed该季度实现营收约1.95亿美元（约合人民币14.04亿），与去年同期基本持平，净亏损约2.82亿美元（约合人民币20.3亿），同比减亏约1.14亿美元（约合人民币8.2亿），减亏比例为28.68%。Wolspeed 首席执行官 Gregg Lowe 在财报中透露，该季度碳化硅业务在汽车领域获得重要增长，8英寸收
2024-11-14 LH 144
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半导体芯片制造中“退火工艺（Thermal Annealing）”技术的详解
转：爱在七夕时退火工艺（Thermal Annealing）技术是半导体制造中的一个关键步骤，它通过在高温下处理硅片来改善材料的电学和机械性能。退火的主要目的是修复晶格损伤、激活掺杂剂、改变薄膜特性以及形成金属硅化物。随着半导体技术的不断发展，特别是特征尺寸的持续减小，对退火工艺（Thermal Annealing）技术的要求也越来越高。本期中主要跟大家分享的是：退火工艺（Thermal Anne
2024-10-14 LH 4440
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EUV与真空：半导体光刻工艺中不可或缺的真空系统
以下文章来源于真空聚焦，作者真空聚焦我们都知道，半导体芯片产业链分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。光刻的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，是IC制造的核心环节，也是整个IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤。芯片在生产过程中一般需要进行20~30次光刻，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%，成本极高，约为整个硅片制造工艺的1/3。▲通过激光或电子束直接写在光掩模板上，然后用激光辐
2024-09-11 LH 1320
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传感器国产自主研发趋势下，毫米波雷达中的机会在哪里？（深度分析）
一、毫米波雷达市场规模测算1)整体乘用车市场毫米波雷达的增长不仅来源于雷达配置渗透率的提升，还很大程度上得益于多雷达方案渗透率的快速提升。特别是NOA（Navigate on Autopilot，领航辅助驾驶）、行泊一体的落地以及未来高阶自动驾驶方案的落地，将会直接推动5R（指单车配置毫米波雷达数量为5个）方案安装量的上升。①供应端：国内外Tier1供应商行泊一体方案已大量落地，且已发布多种L3方
2024-08-08 LH 182
