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氧化镓会取代碳化硅吗？一文看懂氧化镓
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die
2024-07-02 LH 295
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半导体制造过程中有哪些污染物？
污染物是半导体制造过程中的头号公敌，为了应对这一工地半导体厂都会有洁净室，气体检测仪，机台内部也会有微环境来防止污染物进入到硅片上面。而污染物也可能成为后面制程中的致命缺陷。污染物大概有以下几种1.微粒 particle2.金属离子3.化学物质4.细菌5.空气中的分子污染微粒：半导体制造中的特征尺寸是纳米级别的，因此环境中的微粒控制对产品的良率有着及其重要的影响。有可能使得器件短路 电阻增加，也可
2024-06-04 LH 627
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基于聚焦叉指换能器的环形SAW陀螺仪（MEMS）
声表面波（SAW）陀螺仪利用一种被称为SAW陀螺效应的现象来测量旋转角速度。由于简化了传统MEMS陀螺仪所需的悬浮振动机制，SAW陀螺仪非常适合在恶劣环境中应用。据麦姆斯咨询报道，近期，西北工业大学机电学院常洪龙教授团队首次提出了一种使用聚焦叉指换能器（FIDT）的新型环形驻波模式SAW陀螺仪。传统SAW陀螺仪使用线性IDT产生声表面波，会导致波束偏转和能量耗散，而该研究团队使用FIDT根据结构特
2024-05-06 LH 170
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TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在
2024-04-09 LH 511
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半导体专题篇：半导体设备
文章大纲 晶圆制造设备封装设备测试设备晶圆制造设备、封装设备和测试设备是半导体设备产业中的重要组成部分，下面将对这三种半导体设备进行详细介绍。1. 晶圆制造设备1.1 晶圆制造设备的种类晶圆制造设备是半导体生产过程中最重要的设备之一，主要分为前道工艺设备和后道工艺设备两类。前道工艺设备是半导体制造过程中的重要设备，主要用于晶圆制造环节。以下是前道工艺设备的详细介绍：（1）薄膜沉积设备：薄膜沉积设备
2024-03-27 lh 1007
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第三代半导体技术发展趋势（简报）
题记：本报告为第三代半导体技术趋势简报，主要从本领域的技术角度出发，观察技术的热点和趋势，以及在第三代半导体器件中发挥的作用。特别是以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料，其大的禁带宽度、高击穿场强和高电子饱和漂移速率等优良材料特性，可以满足现代电力电子系统对高功率密度、高频、高效性能的持续需求，在国民经济和人民生活中有着丰富的应用场景。一、第三代半导体发展历程1.第三代半导体介绍及历程第一代半
2024-03-27 lh 1078
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铜互联，还是无法替代？
近日，英特尔在2022 IEEE VLSI 技术和电路研讨会上，展示了许多涉及其Intel 4（10nm）工艺的论文。其中一点就是，新的intel 4选用了铜互连连接。早前英特尔原本打算在10nm芯片互连中采用钴（Co）这种新材料，但是众所周知，英特尔在10nm工艺经历了挫败，业界认为，与钴的集成问题可能是英特尔10nm延迟问题的部分原因。过去我们往往只关心晶体管的大小，但是现在随着芯片微缩逐渐来
2024-03-26 261
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起底新加坡半导体
据日前消息透露，晶圆代工巨头台积电正考虑在新加坡建立一家芯片制造厂。据悉，此次初步谈判的是一家大型12英寸晶
2024-03-26 量伙z 342
