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半导体芯片制造中“退火工艺（Thermal Annealing）”技术的详解
转：爱在七夕时退火工艺（Thermal Annealing）技术是半导体制造中的一个关键步骤，它通过在高温下处理硅片来改善材料的电学和机械性能。退火的主要目的是修复晶格损伤、激活掺杂剂、改变薄膜特性以及形成金属硅化物。随着半导体技术的不断发展，特别是特征尺寸的持续减小，对退火工艺（Thermal Annealing）技术的要求也越来越高。本期中主要跟大家分享的是：退火工艺（Thermal Anne
2024-10-14 LH 6332
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EUV与真空：半导体光刻工艺中不可或缺的真空系统
以下文章来源于真空聚焦，作者真空聚焦我们都知道，半导体芯片产业链分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。光刻的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，是IC制造的核心环节，也是整个IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤。芯片在生产过程中一般需要进行20~30次光刻，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%，成本极高，约为整个硅片制造工艺的1/3。▲通过激光或电子束直接写在光掩模板上，然后用激光辐
2024-09-11 LH 1876
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第三代半导体技术发展趋势（简报）
题记：本报告为第三代半导体技术趋势简报，主要从本领域的技术角度出发，观察技术的热点和趋势，以及在第三代半导体器件中发挥的作用。特别是以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料，其大的禁带宽度、高击穿场强和高电子饱和漂移速率等优良材料特性，可以满足现代电力电子系统对高功率密度、高频、高效性能的持续需求，在国民经济和人民生活中有着丰富的应用场景。一、第三代半导体发展历程1.第三代半导体介绍及历程第一代半
2024-03-27 lh 1120
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半导体专题篇：半导体设备
文章大纲 晶圆制造设备封装设备测试设备晶圆制造设备、封装设备和测试设备是半导体设备产业中的重要组成部分，下面将对这三种半导体设备进行详细介绍。1. 晶圆制造设备1.1 晶圆制造设备的种类晶圆制造设备是半导体生产过程中最重要的设备之一，主要分为前道工艺设备和后道工艺设备两类。前道工艺设备是半导体制造过程中的重要设备，主要用于晶圆制造环节。以下是前道工艺设备的详细介绍：（1）薄膜沉积设备：薄膜沉积设备
2024-03-27 lh 1046
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半导体制造过程中有哪些污染物？
污染物是半导体制造过程中的头号公敌，为了应对这一工地半导体厂都会有洁净室，气体检测仪，机台内部也会有微环境来防止污染物进入到硅片上面。而污染物也可能成为后面制程中的致命缺陷。污染物大概有以下几种1.微粒 particle2.金属离子3.化学物质4.细菌5.空气中的分子污染微粒：半导体制造中的特征尺寸是纳米级别的，因此环境中的微粒控制对产品的良率有着及其重要的影响。有可能使得器件短路 电阻增加，也可
2024-06-04 LH 765
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全环绕栅极晶体管(GAAFET)
GAAFET的诞生随着半导体技术的发展，摩尔定律逐渐逼近物理极限。当晶体管尺寸缩小到7纳米以下时，传统的平面MOSFET和FinFET遇到了难以克服的技术瓶颈，如短沟道效应（SCEs），这导致了漏电流增加、阈值电压不稳定等问题。从平面晶体管到FinFET的演变为了继续实现逻辑缩放超越5纳米技术节点，并解决FinFET在进一步缩小时遇到的问题，行业开始探索新的晶体管架构——环绕栅极纳米片场效应晶体管
2024-12-18 LH 703
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TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在
2024-04-09 LH 589
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旧闻新看：一文看懂算力核心HBM的技术特点
英伟达最新推出的NVIDIA HGX™ H200，该平台基于NVIDIA Hopper架构，是首款提供HBM3e内存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大语言模型，同时推进HPC工作负载的科学计算。不仅如此，英伟达计划2024年推出Blackwell架构B100 GPU。分析师预期，从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一
2025-01-02 LH 413
