双腔全自动兼容6-8寸快速退火炉RTP
产地：中国
型号：S803
特点：室温到1250℃，应用于SiC，GaN等第三代半导体领域
简介（Description）：
S803系列自动快速退火炉，内置Robot可以自动取放片，适用于最大8英寸（单片200mm*200mm）及6英寸（单片150mm*150mm）硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，砷化镓，碳化硅，氮化镓等各类衬底和外延片），拥有出色的热源和结构设计，独有专利的温度控制系统，能更为精准进行温控操作，可视化软件平台，也实时对温度进行监控并矫正，保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比，可以大幅减小图案加载效应，晶片上的热的均匀性将更好。多路气体配置（可定制更多），配置真空腔体，整机通过Semi认证。设备国产化率达到90%，配件渠道丰富。
定义（Definition）：
快速热处理（RTP）设备是一种单片热处理设备，可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度（200-1300℃），并且能够快速降温，升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能，如极佳的热预算和更好的表面均匀性，尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤，多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。
名词解释RTA：Rapid Thermal Annealing 快速热退火。
名词解释RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化，主要用于生长薄绝缘层。
名词解释RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。
推荐适用场景：碳化硅氮化镓等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研发制造，MEMS研发制造。
设备规格（Specifications）：
1、全自动操作模式（腔体内配置进口主流Robot，与一线顶级自动化设备同规格产品，高效，稳定，故障率低）；
2、Robot取放片（全程在腔内Robot传递wafer进行热处理，避免污染，自动化程度高，节省人工）；
3、冷却方式包括水冷和氮气吹扫；
4、MFC控制，3-5路制程气体;
5、SEMI认证（整体通过Semi认证，符合半导体行业国际要求）。
设备主要工艺应用（Application）：
●快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
●离子注入/接触退火；
●高温退火；
●高温扩散;
●金属合金；
●热氧化处理。
设备主要应用领域（Field）：
●化合物半导体（磷化铟、砷化镓、氮化物、碳化硅等）；
●MEMS等传感器；
●二极管、MOSFET及IGBT等功率器件；
