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Wolfspeed：8吋SiC晶圆收入首超6吋，业务规划有重大变化
11月6日，Wolspeed公布了2025年财年第一季度业绩报告。据称，Wolspeed该季度实现营收约1.95亿美元（约合人民币14.04亿），与去年同期基本持平，净亏损约2.82亿美元（约合人民币20.3亿），同比减亏约1.14亿美元（约合人民币8.2亿），减亏比例为28.68%。Wolspeed 首席执行官 Gregg Lowe 在财报中透露，该季度碳化硅业务在汽车领域获得重要增长，8英寸收
2024-11-14 LH 76
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半导体芯片制造中“退火工艺（Thermal Annealing）”技术的详解
转：爱在七夕时退火工艺（Thermal Annealing）技术是半导体制造中的一个关键步骤，它通过在高温下处理硅片来改善材料的电学和机械性能。退火的主要目的是修复晶格损伤、激活掺杂剂、改变薄膜特性以及形成金属硅化物。随着半导体技术的不断发展，特别是特征尺寸的持续减小，对退火工艺（Thermal Annealing）技术的要求也越来越高。本期中主要跟大家分享的是：退火工艺（Thermal Anne
2024-10-14 LH 1323
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EUV与真空：半导体光刻工艺中不可或缺的真空系统
以下文章来源于真空聚焦，作者真空聚焦我们都知道，半导体芯片产业链分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。光刻的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，是IC制造的核心环节，也是整个IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤。芯片在生产过程中一般需要进行20~30次光刻，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%，成本极高，约为整个硅片制造工艺的1/3。▲通过激光或电子束直接写在光掩模板上，然后用激光辐
2024-09-11 LH 473
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传感器国产自主研发趋势下，毫米波雷达中的机会在哪里？（深度分析）
一、毫米波雷达市场规模测算1)整体乘用车市场毫米波雷达的增长不仅来源于雷达配置渗透率的提升，还很大程度上得益于多雷达方案渗透率的快速提升。特别是NOA（Navigate on Autopilot，领航辅助驾驶）、行泊一体的落地以及未来高阶自动驾驶方案的落地，将会直接推动5R（指单车配置毫米波雷达数量为5个）方案安装量的上升。①供应端：国内外Tier1供应商行泊一体方案已大量落地，且已发布多种L3方
2024-08-08 LH 142
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氧化镓会取代碳化硅吗？一文看懂氧化镓
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die
2024-07-02 LH 93
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半导体制造过程中有哪些污染物？
污染物是半导体制造过程中的头号公敌，为了应对这一工地半导体厂都会有洁净室，气体检测仪，机台内部也会有微环境来防止污染物进入到硅片上面。而污染物也可能成为后面制程中的致命缺陷。污染物大概有以下几种1.微粒 particle2.金属离子3.化学物质4.细菌5.空气中的分子污染微粒：半导体制造中的特征尺寸是纳米级别的，因此环境中的微粒控制对产品的良率有着及其重要的影响。有可能使得器件短路 电阻增加，也可
2024-06-04 LH 346
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基于聚焦叉指换能器的环形SAW陀螺仪（MEMS）
声表面波（SAW）陀螺仪利用一种被称为SAW陀螺效应的现象来测量旋转角速度。由于简化了传统MEMS陀螺仪所需的悬浮振动机制，SAW陀螺仪非常适合在恶劣环境中应用。据麦姆斯咨询报道，近期，西北工业大学机电学院常洪龙教授团队首次提出了一种使用聚焦叉指换能器（FIDT）的新型环形驻波模式SAW陀螺仪。传统SAW陀螺仪使用线性IDT产生声表面波，会导致波束偏转和能量耗散，而该研究团队使用FIDT根据结构特
2024-05-06 LH 108
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TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在
2024-04-09 LH 350
