射频前端芯片分析：国内与海外的差距及影响

（转）在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端

2025-02-06 LH 167

完成SEMICON/FPD China 2025观众预注册 抽三星折叠手机

SEMICON/FPD China 2025 观众预注册SEMICONChina/FPD China2025将于2025年3月26日-28日在上海新国际博览中心N1-N5、E6-E7、T0-T3馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，是您把握产业趋势、了解最新技术、找到商业伙伴的必选之地！2025年3月7日前注册的观展观众，入场胸牌提前派送，省去现场排队烦恼。SEMICON China

2025-01-03 lh 333

量伙半导体恭祝大家元旦快乐！

2025-01-03 LH 118

旧闻新看：一文看懂算力核心HBM的技术特点

英伟达最新推出的NVIDIA HGX™ H200，该平台基于NVIDIA Hopper架构，是首款提供HBM3e内存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大语言模型，同时推进HPC工作负载的科学计算。不仅如此，英伟达计划2024年推出Blackwell架构B100 GPU。分析师预期，从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一

2025-01-02 LH 335

全环绕栅极晶体管(GAAFET)

GAAFET的诞生随着半导体技术的发展，摩尔定律逐渐逼近物理极限。当晶体管尺寸缩小到7纳米以下时，传统的平面MOSFET和FinFET遇到了难以克服的技术瓶颈，如短沟道效应（SCEs），这导致了漏电流增加、阈值电压不稳定等问题。从平面晶体管到FinFET的演变为了继续实现逻辑缩放超越5纳米技术节点，并解决FinFET在进一步缩小时遇到的问题，行业开始探索新的晶体管架构——环绕栅极纳米片场效应晶体管

2024-12-18 LH 576

中芯国际，跻身全球晶圆代工前三

12月17日资讯，根据市场调研机构TrendForce最新发布的报告，2024年第三季度，全球晶圆代工市场格局中，台积电继续稳居榜首，其市场占有率高达64.9%，并进一步扩大了与第二名三星的差距，后者市占率仅为9.3%，这是TrendForce记录以来，三星市占率首次跌破10%的关口。与此同时，中芯国际在第三季度实现了0.3%的增长，市占率达到6%，正逐步缩小与三星的差距。中国晶圆代工企业在成熟制

2024-12-18 LH 107

“沪嘉之约、创新合作”，2024“浙里好成果”走进嘉兴暨沪嘉青年博士创新合作对接活动在南湖实验室举行

2024年11月16号量伙半导体受主办单位：嘉兴市科学技术局和上海科学技术交流中心的邀请，参加在南湖实验室举办的2024“浙里好成果”走进嘉兴暨沪嘉青年博士创新合作对接活动，并在现场与北京理工大学进行了理嘉-量伙半导体装备联合研发实验室项目的签约仪式。本次活动以“沪嘉之约、创新合作”为主题，链接沪嘉两地，邀请知名专家、学者、青年博士，汇聚产业、学术、科研等行业精英，分享科研成果，探索科技创新与产业

2024-12-11 LH 293

中标喜报！长三角太阳能光伏技术创新中心

2024-11-14 LH 660