新闻中心-量伙半导体设备（上海）有限公司

随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA, Gate-all-Around）全环绕栅极晶体管(GAAFET)等先进结构，在减少漏电、降低功耗方面虽然取得了显著成就，但进一步微缩的挑战日益显现。为了延续摩尔定律的发展趋势，并满足未来高性能计算的需求，业界正积极研发下一代晶体管

2025-03-11 LH 137

北大研究团队与合作者实现不同原子层数量子点的高效LED

量子点自20世纪80年代被发现以来，已广泛应用于显示等多个领域。北京大学深圳研究生院新材料学院王立刚特聘研究员/助理教授课题组、材料科学与工程学院周欢萍教授课题组、化学与分子工程学院严纯华院士/孙聆东教授课题组与剑桥大学卡文迪许实验室Richard Friend院士/爵士课题组合作，实现了不同原子层数量子点的高效发光二极管（LED）。该LED的电致发光峰值在607~728nm范围内可控调节，并实现

2025-03-11 LH 99

射频前端芯片分析：国内与海外的差距及影响

（转）在当今的通信技术领域，射频前端设计至关重要，它是实现无线信号收发的关键环节，其性能直接影响着通信设备的质量和用户体验。射频前端设计公司由于产品具有技术密集、更新换代快等特性，需要持续的高研发投入来保持竞争力。射频前端芯片产品涉及多种复杂技术，如滤波器、功率放大器、低噪声放大器等的设计与制造工艺。这些技术不仅要满足不断提升的通信标准，如从4G 到 5G 乃至未来 6G 的演进，还要适应各类终端

2025-02-06 LH 136

完成SEMICON/FPD China 2025观众预注册抽三星折叠手机

SEMICON/FPD China 2025 观众预注册SEMICONChina/FPD China2025将于2025年3月26日-28日在上海新国际博览中心N1-N5、E6-E7、T0-T3馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，是您把握产业趋势、了解最新技术、找到商业伙伴的必选之地！2025年3月7日前注册的观展观众，入场胸牌提前派送，省去现场排队烦恼。SEMICON China

2025-01-03 lh 321

量伙半导体恭祝大家元旦快乐！

2025-01-03 LH 115

旧闻新看：一文看懂算力核心HBM的技术特点

英伟达最新推出的NVIDIA HGX™ H200，该平台基于NVIDIA Hopper架构，是首款提供HBM3e内存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大语言模型，同时推进HPC工作负载的科学计算。不仅如此，英伟达计划2024年推出Blackwell架构B100 GPU。分析师预期，从B100架构开始，英伟达将采用Chiplet技术，对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术。且不止一

2025-01-02 LH 276

全环绕栅极晶体管(GAAFET)

GAAFET的诞生随着半导体技术的发展，摩尔定律逐渐逼近物理极限。当晶体管尺寸缩小到7纳米以下时，传统的平面MOSFET和FinFET遇到了难以克服的技术瓶颈，如短沟道效应（SCEs），这导致了漏电流增加、阈值电压不稳定等问题。从平面晶体管到FinFET的演变为了继续实现逻辑缩放超越5纳米技术节点，并解决FinFET在进一步缩小时遇到的问题，行业开始探索新的晶体管架构——环绕栅极纳米片场效应晶体管

2024-12-18 LH 473