半导体产线应用

LH-RTA-A快速退火炉RTP

类别:半导体产线应用
0


快速退火炉RTP

啊.jpg


LH-RTA-A快速退火炉RTP

产地:中国

型号:LH-RTA-A

 




 

简介(Description):

A系列自动快速退火炉适用于多规格尺寸(18片4英寸,8片6英寸,2片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于,磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延片),拥有出色的热源和结构设计。独有专利的温度控制系统,能更为精准进行温控操作,可视化软件平台,实时对腔室温度进行监控并矫正,保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应,晶片上热的均匀性将更好。1-5路气体配置(可定制),可抽真空腔体,带机械手臂Robot上下传片。设备国产化率达到95%以上,配件渠道丰富。

 




 

定义(Definition):

快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备,可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃),并且能够快速降温,升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能,如极佳的热预算和更好的表面均匀性,尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤,多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。

名词解释RTA:Rapid Thermal Annealing 快速热退火。

名词解释RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化,主要用于生长薄绝缘层。

名词解释RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。

推荐适用场景:碳化硅氮化镓等化合物外延制造,IGBT、MOSFET功率器件研发制造,MEMS研发制造,LED芯片,miniLED,microLED等。

 




 

设备规格(Specifications):

1、适用于2、4、6、8英寸 Wafer(单腔体可摆放18片4英寸或8片6英寸或2片8英寸材料进行加热处理);

2、冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却,软件可视化监控管理,防止外壁过热,内置氮气管路,吹扫腔体,保持清洁,极速降温);

3、MFC控制,1-5路制程气体。(品牌MFC控制器,内置多路气氛管路,可定制开通,满足各类测试工艺需求);

4、退火温度范围 300℃-1000℃(常规硅基材料温度适用于850℃,第三代半导体材料最大可到1350℃);

5、升温速率 ≦150℃/秒(升温速度随不同的材料及装置会有差异,标准数据是裸片放置内测量后得出,150摄氏度每秒是常规温度速率,加热设备的极限会更高);

6、Windows操作系统;(高性能工业电脑,搭载windows操作系统,larcomse专属软件操作,上手简单,系统功能强大,各类数据可视化程度高,内容丰富,亦可定制软件模块);

7、配置真空系统(有定压功能,满足常规真空要求,使用分子泵能达到更高的真空度,能定制真空度);

8、多只红外卤素光源(根据需求可配置数量不等的灯管,以满足工艺加热要求)。

 




 

设备主要工艺应用(Application):

快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);

离子注入/接触退火;

高温退火;

高温扩散;

金属合金;

热氧化处理。

 




 

设备主要应用领域(Field):

化合物半导体(磷化铟、砷化镓、氮化物、碳化硅等);

多晶硅;

太阳能电池片;

MEMS等传感器;

二极管、MOSFET及IGBT等功率器件;

LED、CMOS等光电器件;

IC晶圆。